导  读：

世界上第一款3d芯片工艺已经准备获取牌照，该工艺来自于无晶圆半导体设计公司besang公司。besang公司制作的用于演示的芯片在其控制逻辑上使用了1.28亿个垂直晶体管用作内存位单元。

该芯片的设计在韩国国家nanofab中心和斯坦福nanofab进行。besang公司称，该工艺由25个专利保护，将允许flash、dram以及sram放置在逻辑电路、微处理器以及片上系统上。

besang公司声称该公司在底层使用高温处理工艺制造逻辑电路，在顶层使用低温工艺来制造内存电路，从而实现了3d芯片。将不同层的逻辑和内存电路放置在同一个芯片中，besang公司的处理工艺晶圆中集成了更多的裸片，从而降低了每个裸片的成本。

besang公司工艺过程为，首先在一个晶圆上通过常规的通孔和连接层来制作逻辑电路，然后在另一个晶圆上制作内存设备，最后将两个晶圆排列并粘在一起，从而形成单个3d单元。