导  读：

美国ibm公司、amd以及纽约州立大学albany分校的纳米科学与工程学院（cnse）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器（sram）研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。

sram芯片是更复杂的设备，比如微处理器的“先驱”。sram单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的sram单元利用传统的六晶体管设计，仅占0.1平方微米，打破了此前的sram尺度缩小障碍。

新的研究工作是在纽约州立大学albany分校的纳米科学与工程学院（cnse）完成的，ibm及其他伙伴的许多顶尖的半导体研究都在这里进行。ibm科技研发部副总裁t.c.chen博士称，“我们正在可能性的终极边缘进行研究，朝着先进的下一代半导体技术前进。新的研究成果对于不断驱动微电子设备小型化的追求，可以说至关重要。”

22纳米是芯片制造的下两代，而下一代是32纳米。在这方面，ibm及合作伙伴正在发展它们无与伦比的32纳米高k金属栅极工艺（high-kmetalgatetechnology）。

从传统上而言，sram芯片通过缩小基本构建单元，来制造得更加紧密。ibm联盟的研究人员优化了sram单元的设计和电路图，从而提升了稳定性，此外，为了制造新型sram单元，他们还开发出几种新的制作工艺流程。研究人员利用高na浸没式光刻（high-naimmersionlithography）技术刻出了模式维度和密度，并且在先进的300毫米半导体研究环境中制作了相关部件。

与sram单元相关的关键技术包括：边带高k金属栅极、<25纳米栅极长度晶体管、超薄隔离结构（spacer）、共同掺杂、先进激活技术、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。

据悉，在2008年12月15至17日美国旧金山将要举行的ieee国际电子设备（iedm）年会上，还会有专门的报告来介绍最新成果的细节。