三星Hynix联手研发新一代半导体芯
导 读:
世界顶级芯片制造商三星电子与hynix周三宣布,将联手发展下一代半导体芯片。
据国外媒体报道,三星与hynix表示,双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机存储器(stt-mram)芯片的研发工作,并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准。
三星与hynix表示,研发工作将于8月份开始着手实施。
三星与hynix预计,全球新一代芯片市场将在2012年左右趋于成熟。
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