导  读：

中国南车大功率igbt产业化基地株洲奠基，这标志着中国首条8英寸igbt芯片生产线项目正式启动。

igbt(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，被业界誉为功率变流装置的“cpu”、绿色经济的“核芯”。

占地160亩、由中国南车株洲所具体实施的中国南车大功率igbt产业化基地项目，总投资14亿元人民币，预计到2013年正式投产。项目建成后，将具备年产12万片8英寸igbt芯片和100万只igbt模块的能力，年产值超过20亿元。

“目前，国内缺少igbt的产业化设计、生产、封装、测试和可靠性试验等一套完整的技术，国内igbt的主要供应商为外国厂商。大功率igbt产业化基地的建设，将改变核心技术受制于人，产品依赖进口的不利局面，提升中国轨道交通等重大装备制造业的核心竞争力。”南车株洲所总工程师冯江华表示。