英特尔全球投入80亿实施45纳米升
英特尔的芯片工厂位于新墨西哥州的里奥兰乔。
本轮技术改造完成后,工厂将于明年下半年开始向45纳米工艺转移。
英特尔已经表示,将分别投资30亿美元和35亿美元在钱德勒、亚利桑那、美国和以色列建设芯片工厂,以提升芯片工厂的技术。
英特尔最近表示,它仍将按原计划在今年下半年采用45纳米技术生产芯片,而它的竞争对手amd则落后一点,将在2008年年中推出45纳米芯片。
芯片线宽和晶圈面积是半导体产业升级的两个主要方向。较小的线宽意味着在同一晶片上可以生产更多的内核,这不仅降低了成本,还降低了芯片的功耗。目前,45纳米线宽是半导体行业最先进的制造技术。
上一篇:我国电网运行领域又获新成果
下一篇:台湾厂商成立大尺寸液晶面板研发
特别声明:本站的所有文章版权均属于自动化网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品,已经本网授权的文章,应在授权领域内应用,并注明来源为:“自动化网”。。
标题:英特尔全球投入80亿实施45纳米升 地址:http://www.zgshouguang.cn/article/6347.html
