导  读：

据日本《日刊工业新闻》报道，一家由东芝、nec电子等11家日本半导体生产商共同出资建立的高技术企业半导体尖端技术公司，近日成功开发出一种电子模型，该模型可被应用于预测互补金属氧化物半导体（cmos）晶体管的特性变动。

在下一代半导体的研发中，通常采用一种称为浅沟槽隔离(sti)的技术，用于分离大规模集成电路中cmos晶体管的相邻元件。通过使用这个新开发的模型，可以在sti工艺期间预测由应力引起的晶体管特性变化，从而可以更精确地计算相邻元件之间的距离，并且在过去设计半导体时不需要考虑太多的冗余。据该公司称，本发明可将大规模集成电路的性能提高高达20%，并将被日本制造商应用于下一代大规模集成电路的开发。